極薄Si酸化膜の直接トンネル伝導の解析

• 三浦 隆司

  山口大学工学部電気電子工学科

• 松尾 直人

  山口大学工学部電気電子工学科

• 山内 純也

  山口大学工学部電気電子工学科

• 北川 康範

  山口大学工学部電気電子工学科

• 三好 正毅

  山口大学工学部電気電子工学科

書誌事項

タイトル別名

• Analysis of Direct Tunneling of Thin SiO_2 Film

抄録

p-Si(100)に形成された2.7〜3.3mmの膜厚を有する熱極酸化膜の低電圧領域における直接トンネル(DT:direct tunneling)伝導を、低電位電極から、高電位電極への逆方向DT電流を考慮することにより検討した。0〜0.5Vの酸化膜低印加電圧領域において、電流減少率が大きくなる現象を証明した。しかし、この考慮だけでは絶対値において最大1桁の差を生じる。そこで、更に、逆方向DT電流にSiの多谷構造による縮退効果を考慮することにより、実験知をほぼ再現することができた。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (445), 45-51, 1998-12-10

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 極薄Si酸化膜
• 直接トンネリング
• 低電圧領域
• 逆方向DT電流
• Siの多谷構造

詳細情報

• CRID: 1571417127413441536
• NII論文ID: 110003310059
• NII書誌ID: AN10013254
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles