実験計画法を用いたMOSFETモビリティモデル最適化手法の検討
書誌事項
- タイトル別名
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- Study of Mobility Model Parameter Calibration of MOSFET Based on RSF
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抄録
デバイスシミュレータのモビリティモデルパラメータ最適化手法の検討を行った。実験計画法を用いた最適化手法により、表面散乱と速度飽和に関する3つのパラメータに対して15回のデバイスシミュレータの計算からLg=0.23〜1umでVg-Id特性、Vd-Id特性に対し絶対誤差4%の精度での合わせ込みが可能な事を確認した。本手法により最適化解析回数の固定による最適化時間の短縮とフレキシビリティを持つ最適化を行うことが可能となる。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (349), 17-21, 1998-10-22
一般社団法人電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報
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- CRID
- 1571698602391341952
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- NII論文ID
- 110003310116
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles