実験計画法を用いたMOSFETモビリティモデル最適化手法の検討

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タイトル別名
  • Study of Mobility Model Parameter Calibration of MOSFET Based on RSF

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抄録

デバイスシミュレータのモビリティモデルパラメータ最適化手法の検討を行った。実験計画法を用いた最適化手法により、表面散乱と速度飽和に関する3つのパラメータに対して15回のデバイスシミュレータの計算からLg=0.23〜1umでVg-Id特性、Vd-Id特性に対し絶対誤差4%の精度での合わせ込みが可能な事を確認した。本手法により最適化解析回数の固定による最適化時間の短縮とフレキシビリティを持つ最適化を行うことが可能となる。

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参考文献 (5)*注記

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詳細情報

  • CRID
    1571698602391341952
  • NII論文ID
    110003310116
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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