Si共鳴トンネルMOSトランジスタの理論的研究

• 松尾 直人

  山口大学工学部電気電子工学科

• 三浦 隆司

  山口大学工学部電気電子工学科

• 浜田 弘喜

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 中田 真一

  山口大学工学部電気電子工学科

• 三好 正毅

  山口大学工学部電気電子工学科

書誌事項

タイトル別名

• Theoretical Study of Si Resonant Tunneling MOS Transistor

抄録

薄い誘電体膜をチャネル両端に持つ, Si共鳴トンネルMOSトランジスタ(Si resonant tunneling MOST:SIRTMOST)の特性を調べる.チャネル内電位と電界, 相互コンダクタンス(gm), サブスレッショルド係数(subthreshold swing:S)を計算する.gmとS値に関して, 非対称SiO_2の形成を仮定して計算を行い, 従来型MOSTとの対比を行う.又, チャネル両端のダブルバリアにより, 従来型MOSTの物理的限界を延長できることを示す.
New MOST(metal oxide semiconductor transistor)with the thin dielectric film at the both edges of the channel(SiResonant T unneling MOST:SIRMOST)is investigated. The potential and the electric field of the channel, the transconductance gm and the subthreshold swing S-value of the SIRTMOST are calculated. Assuming the asymmetric SiO_2 at the both edges of the channel, gm and S-value of the SIRTMOST are compared with those of the conventional(Conv.)MOST. It is also shown that the double-barriers formed at the both edges of the channel extends the physical limit of the Cnv.MOST.

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (193), 25-30, 1998-07-23

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• Si共鳴トンネルMOSトランジスタ
• 相互コンダクタンス
• サブスレッショルド係数

詳細情報

• CRID: 1572543027321472512
• NII論文ID: 110003310144
• NII書誌ID: AN10013254
• 本文言語コード: en
• データソース種別:
  • CiNii Articles