全パターンをEBで露光した0.2μm nMOSFETの試作

• 田辺 昭

  通信・放送機構 仙台リサーチセンター

• 梅谷 正人

  通信・放送機構 仙台リサーチセンター

• 藤原 郁夫

  通信・放送機構 仙台リサーチセンター

• 小倉 孝之

  通信・放送機構 仙台リサーチセンター

• 片岡 耕太郎

  通信・放送機構 仙台リサーチセンター

• 林田 茂樹

  通信・放送機構 仙台リサーチセンター

• 松尾 明

  通信・放送機構 仙台リサーチセンター

• 桜庭 弘

  通信・放送機構 仙台リサーチセンター

• 遠藤 哲郎

  通信・放送機構 仙台リサーチセンター

• 舛岡 富士雄

  通信・放送機構 仙台リサーチセンター

書誌事項

タイトル別名

• 0.2μm nMOSFET using EB lithography for all Mask Process

抄録

全ての露光行程にEB露光を用いたnMOSFETを試作した。ゲート酸化膜厚は10nmである。このMOSFETはゲート長0.23μmのものまで良好な飽和特性が得られており、しきい値0.3Vのものでは電源電圧3Vで約0.52mA/μmのオン電流が得られた。また、ゲート長0.21μmのnMOSリングオシレータ-はゲート一段あたりの52psの遅延時間が得られた。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (555), 13-18, 1999-01-22

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• MOSFET
• EB露光

詳細情報

• CRID: 1574231877181735040
• NII論文ID: 110003310158
• NII書誌ID: AN10013254
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles