バイアス・温度(BT)処理を用いたnMOSFET/SIMOXの特性改善

• 小泉 弘

  NTT通信エネルギー研究所

• 嶋屋 正一

  NTT通信エネルギー研究所

• 土屋 敏章

  島根大学総合理工学部電子制御システム工学科

書誌事項

タイトル別名

• Suppression of the Floating-Body Effect in Fully-Depleted nMOSFET's/SIMOX Using Back-Side Bias-Temperature Treatment

抄録

完全空乏型 SOI-MOSFET の埋め込み酸化膜に電界を印加するバックサイドバイアス・温度(BSBT)処理により、基板浮遊に伴う寄生バイボーラ効果が抑制されることを見出した。寄生バイポーラ効果の抑制により、しきい値電圧とドレイン耐圧の異常低下や、ホットキャリア劣化のうちSOI-MOSFETに特有なモードが著しく軽減する。BSBT処理ではゲート酸化膜に電界ストレスが印加されないため、相互コンダクタンスや飽和ドレイン電流などの劣化は生じない。BSBT処理による寄生バイボーラ効果抑制のメカニズムは、埋め込み酸化膜とシリコン活性層の界面に発生した界面準位が再結合中心として働き、ドレイン近傍のインパクト・イオン化現象で発生した過剰正孔が減少したためであると推測される。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (652), 61-67, 1999-03-10

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• SIMOX
• MOSFET
• 寄生バイポーラ効果
• バイアス・温度処理
• 界面順位

詳細情報

• CRID: 1570572702484497536
• NII論文ID: 110003310198
• NII書誌ID: AN10013254
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles