サブ100nmCMOSロジック用1.5nmゲート酸窒化膜におけるノックオン酸素の影響

• 東郷 光洋

• 最上 徹

書誌事項

タイトル別名

• サブ 100nmCMOS ロジックヨウ 1 5nm ゲートサン チッカ マク ニ オケル ノックオン サンソ ノ エイキョウ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 102 (133), 1-6, 2002-06-20

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• ラジカル酸窒化法
• UHV装置
• ECRプラズマ
• Oxynitridation using radical-oxygen and -nitrogen
• ultra high vacuums system
• ECR plasma
• SiON gate-dielectric

詳細情報

• CRID: 1520290884343737984
• NII論文ID: 110003311023
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 6221077
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6221077
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles