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Abstract
バンク型多ポートメモリは, 高いアクセスバンド幅をもち, Nポートメモリセル方式の多ポートメモリと比較してチップ面積効率が高く, 現実的にオンチップ化が可能な多ポートメモリの構成方法である.しかしながら, ポートとバンクメモリを結合するクロスバ網のハードウェア・チップサイズがポート数とバンク数の積で増加するため, 大きなポート数, バンク数のメモリは現実的ではない.そこで, 本論文では, バンク型多ポートメモリの結合網に閉そく網を用いたバンク型多ポートメモリを提案する.閉そく網は従来から多くの研究が行われている.しかし, これらの研究で行われているハードウェア量評価はスイッチ一つの規模, 構成が異なるクロスバスイッチと比較をしたものである.本論文では, 閉そく網を用いることで高いランダムアクセスバンド幅をもつバンク型多ポートメモリを従来のバンク型多ポートメモリと比較して少ないハードウェアで実現できることをトランジスタ数比較で示す.評価の結果, 提案方法を用いることで従来のクロスバ網を用いたバンク型多ポートメモリと比較して, ポート数が512, バンク数が512バンクの場合, 約50%のトランジスタで構成でき, 同程度の性能が得られることが分かった.
Journal
- The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. A [List of Volumes]
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The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. A J88-A(4), 498-510, 2005-04-01 [Table of Contents]
The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
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