YBCO薄膜を用いたブリッジ形弱結合素子の特性  [in Japanese] Properties of Bridge Type Weak Link Device with YBCO Thin Film  [in Japanese]

    • 朴 賛勲 Park Chan-hoon
    • 電気通信大学電気通信学部電子情報学科 Faculty of Electro-Communications, The University of Electro-Communications
    • 後藤 俊成 Goto Toshinari
    • 電気通信大学電気通信学部電子情報学科 Faculty of Electro-Communications, The University of Electro-Communications

Abstract

膜の作製には化学量論的な123組成のターゲットを用いてDCホロー陰極スパッタ法によって研磨したMaO(100)基板上に厚さ100-300nm程度のYBCO膜を堆積させる.スパッタガスAr+5%O_2,スパッタガス圧820mTorr,基板温度700℃でTczero=87Kのc軸配向膜が得られた.本研究は結晶粒界を用いない,ブリッジ部を局部的に薄くした膜厚変化形ブリッジ(VTB)素子の実現を目的としている.今回我々は,ホトリソグラフィとAlの斜め蒸着と低エネルギーイオンビームエッチングを用いて85-410nmの微細加工を行いVTB素子を作製し,マイクロ波(9.67GHz)およびミリ波(94GHz)を印加する実験を行った結果,ミリ波まで応答することが明らかになった.

Journal

The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers   [List of Volumes]

The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers J76-C-2(2), 74-79, 1993-02-25  [Table of Contents]

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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Codes

  • NII Article ID (NAID) :
    110003315026
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID) :
    AN10071294
  • Text Lang :
    JPN
  • Article Type :
    ART
  • ISSN :
    09151907
  • NDL Article ID :
    3808898
  • NDL Source Classification :
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No. :
    Z16-1852
  • Databases :
    CJP  NDL  NII-ELS 

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