GaAs MESFETのショットキー特性を利用した新規回路構成の提案と高性能ASICへの応用  [in Japanese] New GaAs Ciruit Structures using Schottky FET Characteristics and Applied to ASICs  [in Japanese]

GaAsゲートアレーは高速システムの構成デバイスとして重要な選択肢の1つとなっている。GaAsゲートアレーの回路構成としてはDCFLが一般的であるが、SiLSIとの電源電圧のコンパティビリティが悪いために使い勝手が良くない。今回、DCFLを縦積みにして電源電圧を3V〜3.3VとSiLSIのそれと同じにした回路構成(スタックドDCFL)を検討した。また、高速ゲート回路および入出力回路として、単一電源で動作するノーマリオン型のDFET論理回路(SVFL)についても検討した。さらに、これら2つの回路形式を採用したGaAsASIC(ゲートアレー)の構成例について検討したので報告する。

A GaAs gate array is becoming one of the indispensable devices for high speed systems.Generally,a GaAs gate-array consists of DCFL circuit structure.The DCFL operates oh less than 2 V supply voltage.Therefore,the supply voltage compatibility to Si LSI is problem.A new DCFL structure called Stacked DCFL,which has supply voltage compatibility to Si LSI with 3V or 3.3 V,has been studied. Forthermore,a normally-on FET logic called SVFL,which operates on single supply voltage,has been studied.Finally,a GaAs ASIC architecture using these two circuit structures is proposed.