多孔質Siを用いたSi系光デバイス

• 三村 秀典

  ATR光電波通信研究所

• 松本 貴裕

  新日鉄(株) エレクトロニクス研

• 金光 義彦

  筑波大学 物理

書誌事項

タイトル別名

• Si optical devices using porous Si

抄録

結晶Siは間接バンドギャップ半導体のため、発光効率が低く、そのため光デバイス分野では主に化合物半導体が用いられている。しかし、結晶Siは、材料及びデバイスの成熟度において、化合物半導体を凌いでおり、そのため結晶Siを用いた光デバイスの実現は、コスト、機能、信頼性等から強く望まれている。 このような中、L,T,Canhamは結晶Siを弗酸溶液中で陽極化成して作製した多孔質Siが室温で強い可視発光(ホトルミネッセンス)を示すことを見いだした。我々は、この多孔質Siの発光機構について検討を行ってきたが、今回Siによる光演算素子の第一歩として、多孔質Siを用いたLED及び光論理ゲートを作製したので報告する。

収録刊行物

• 電子情報通信学会秋季大会講演論文集

  電子情報通信学会秋季大会講演論文集 1994 (2), 133-, 1994-09-26

  一般社団法人電子情報通信学会

詳細情報

• CRID: 1570291227482668160
• NII論文ID: 110003338833
• NII書誌ID: AN10398476
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles