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抄録
液晶の高品質化、LSIの高集積化に伴い、半導体工場において製品への微粒子の静電吸着による歩留の低下が深刻な問題になっている。このような静電吸着を除去するために、イオナイザが有効な装置として広く用いられている。このイオナイザは、エミッタに高電圧を印加してイオンを発生させ帯電物を除電する装置である。しかし、エミッタに高電圧を印加した際にエミッタから微粒子が飛散し、イオナイザが発塵源になることがある。この問題を解決するためにエミッタの発塵のメカニズムについて検討する必要がある。そこで本報では我々が開発しているセラミックエミッタ、従来から用いられているタングステンエミッタ、チタンエミッタの発塵特性を検討し、発塵のメカニズムについて考察をした。