Low Distortion Characteristics of Power Heterojunction FET under Low Quiescent Drain Current Condition for 1.9GHz Wide-Band CDMA Cellular Phones
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- Hau G.
- Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation
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- Nishimura B.T.
- Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation
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- Ichihara M.
- Personal C&C Research Development Laboratories, NEC Corporation
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- Bito Y.
- Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation
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- Iwata N.
- Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
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電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 1998 (2), 51-, 1998-09-07
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1571980077311441408
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- NII論文ID
- 110003344119
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- NII書誌ID
- AN10489017
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- 本文言語コード
- en
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- データソース種別
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- CiNii Articles