C-10-14 GaAs (311) B基板上における高密度InGaAs量子ドットの評価

• 赤羽 浩一

  筑波大学物理工学系

• 河村 隆広

  筑波大学物理工学系

• 藍 勝

  筑波大学物理工学系

• 高増 正

  金属材料研究所

• 木戸 義勇

  金属材料研究所

• 岡田 至崇

  筑波大学物理工学系

• 川辺 光央

  筑波大学物理工学系

書誌事項

タイトル別名

• Evaluation of highly packed InGaAs QDs grown on GaAs (311) B substrate

収録刊行物

• 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集

  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 1999 (2), 51-, 1999-08-16

  一般社団法人電子情報通信学会

詳細情報

• CRID: 1572261552288022144
• NII論文ID: 110003345752
• NII書誌ID: AN10489017
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles