150万画素VMIS撮像素子 : 基板電荷変調方式を用いた新しい4.2μm,150万画素撮像素子(固体撮像技術および一般)

• 小森 寛文

  イノテック株式会社

• 三井田 高

  イノテック株式会社

• 川尻 和廣

  イノテック株式会社

• 寺籠 博裕

  イノテック株式会社

• 遠藤 勉

  イノテック株式会社

• 岡崎 有

  イノテック株式会社

• 山本 修治

  イノテック株式会社

書誌事項

タイトル別名

• 1.5M Pixels Imager with Localized Hole Modulation Method 4.2μm Pixel Size and 1.5M Pixels New Image Sensor with charge-modulation method using Hole Charge in the bulk.
• 150万画素VMIS撮像素子--基板電荷変調方式を用いた新しい4.2μm, 150万画素撮像素子
• 150マン ガソ VMIS サツゾウ ソシ キバン デンカ ヘンチョウ ホウシキ オ モチイタ アタラシイ 4 2マイクロm 150マン ガソ サツゾウ ソシ

抄録

4.2μmの画素サイズを持つ150万画素撮像素子を、埋め込みフォトダイオードとMOSFETひとつで構成した。この撮像素子は、単層ポリ・3層メタルの0.35μm CMOSプロセス技術に6枚の追加マスクによって作られた。MOSFETのソースの周りに局所的に濃度を高めたP領域に蓄積されるホールの数をソース電圧変化へ変換する。このP領域を我々は「ホール・ポケット」と呼び、この素子を「VMIS」と呼ぶ。この技術により、低ランダム雑音、低暗電流、良い色再現性、高感度、高解像度を達成した。

収録刊行物

• 映像情報メディア学会技術報告

  映像情報メディア学会技術報告 26.26 (0), 13-19, 2002

  一般社団法人 映像情報メディア学会

キーワード

• 撮像素子
• CMOSプロセス
• 電荷変調
• 基板電荷変調
• 閾値変調
• CMOSイメージセンサー

詳細情報

• CRID: 1390282679503782400
• NII論文ID: 110003671348
• NII書誌ID: AN1059086X
• DOI: 10.11485/itetr.26.26.0_13
• ISSN: 24241970
• ISSN: 13426893
• NDL書誌ID: 6135169
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/6135169
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6135169
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可