Gas-Source Molecular Beam Epitaxial Growth of In1-xGaxP on GaAs Using Teriarybutylphosphine

• Hironobu Sai

• Hajime Fujikura

• Hideki Hasegawa

抄録

コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌

収録刊行物

• Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP

  Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 38 (1A), 151-158, 1999-01

  Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics

詳細情報

• CRID: 1520290882369510016
• NII論文ID: 110003907094
• NII書誌ID: AA10457675
• ISSN: 00214922
• NDL書誌ID: 4643717
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4643717
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZM35(科学技術--物理学)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles