A High Power MOS-FET with a Vertical Drain Electrode and Meshed Gate Structure : A-5: FIELD EFFECT TRANSISTORS (II)

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  • CRID
    1574231877184193152
  • NII論文ID
    110003953910
  • NII書誌ID
    AA10457686
  • ISSN
    00214922
  • 本文言語コード
    en
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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