Short Channel, Low Noise UHF MOS-FET's Utilizing Molybdenum-Gate Masked Ion-Implantation : A-6: MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS
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- OKABE Takeaki
- Central Reserach Laboratory, Hitachi Ltd.
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- OCHI Shikayuki
- Central Reserach Laboratory, Hitachi Ltd.
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- KURONO Hirokazu
- Central Reserach Laboratory, Hitachi Ltd.
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- KAGAMI Jun-ichiro
- Central Reserach Laboratory, Hitachi Ltd.
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収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics. Supplement
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Japanese journal of applied physics. Supplement 15 (1), 201-206, 1976
社団法人応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1572824502300643712
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- NII論文ID
- 110003953913
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- NII書誌ID
- AA10457686
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- ISSN
- 00214922
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- 本文言語コード
- en
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- データソース種別
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- CiNii Articles