放射線による半導体素子の劣化・故障(故障物理と信頼性)  [in Japanese] Radiation Induced Failures and Degradation of Semiconductor Devices(Physics of Failure and Reliability)  [in Japanese]

Abstract

微細加工技術の進展とともに,半導体素子の高密度高集積化が進み,パーソナルコンピュータから携帯電話,デジタルカメラと,今や社会のあらゆるところで当然のように使われるようになった.これは低消費電力,小型,高機能というだけでなく,非常に高い信頼性(故障し難い)を有しているためである.地球上のあらゆる環境で高信頼性を発揮する半導体素子であるが,原子炉周辺や宇宙放射線環境では非常に故障しやすい.本稿では,半導体素子の放射線から受ける影響について,物質との相互作用として,電離と変位損傷があり,これらが素子内部でどのようなメカニズムで故障や劣化を引き起こすのかを概説した.また半導体素子は宇宙応用には欠かせない部品であり,地上とは異なり故障すれぱボードを取り替えればよいというわけにいかないため,半導体素子の耐放射線性が如何に重要であるかを広く認識していただければとの願いを込めた.

Journal

The journal of Reliability Engineering Association of Japan   [List of Volumes]

The journal of Reliability Engineering Association of Japan 26(1), 37-45, 2004-01-25  [Table of Contents]

Reliability Engineering Association of Japan (REAJ)

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Codes

  • NII Article ID (NAID) :
    110003994544
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID) :
    AN10540883
  • Text Lang :
    JPN
  • Article Type :
    特集
  • ISSN :
    09192697
  • NDL Article ID :
    6848480
  • NDL Source Classification :
    ZM1(科学技術--科学技術一般)
  • NDL Call No. :
    Z14-2023
  • Databases :
    NDL  NII-ELS 

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