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- 土屋 敏章
- 島根大学総合理工学部
書誌事項
- タイトル別名
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- SOI CMOS Devices
- 論文 SOI CMOS デバイス
- ロンブン SOI CMOS デバイス
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抄録
薄膜SOI(Silicon on insulator)を用いたCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)LSIが本格的に導入されようとしている.従来のバルクSiデバイスのスケーリングで得られる以上の高速化と低消費電力化が達成できるからである.本文では, まず, SOI CMOS構造の特徴, および, SOI CMOSデバイスの特徴について述べ, SOIデバイスを使いこなす上で理解しなければならないもっとも重要な現象である基板浮遊効果について詳しく述べている.次に, MOSデバイスとして重要課題である短チャネル効果とホットキャリア信頼性について述べている.これらのいずれにおいても, 薄膜SOI MOSFET特有の現象が存在することを示し, そのメカニズムについて述べている.さらに, SOI CMOSデバイスのスケーリングの課題と今後の展望についても述べ, 新材料導入の必要性を述べている.
収録刊行物
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- 日本信頼性学会誌 信頼性
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日本信頼性学会誌 信頼性 23 (2), 229-241, 2001
日本信頼性学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679430385920
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- NII論文ID
- 110004003017
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- NII書誌ID
- AN10540883
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- ISSN
- 24242543
- 09192697
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- NDL書誌ID
- 5731929
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可