InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響

• 黒川 愛里

• 金 智

• 小野 洋

Bibliographic Information

Other Title

• InGaP GaAs ヘテロ セツゴウ バイポーラトランジスタ トクセイ エ ノ ヒョウメン サイケツゴウ ノ エイキョウ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 105 (520), 33-38, 2006-01-18

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• HBT
• InGaP/GaAs
• エミッタサイズ効果
• ストレステスト
• Heterojunction bipolar transistors
• HBT's
• surface Recombination
• Emitter size effect
• stress test

Details

• CRID: 1520572357523470336
• NII Article ID: 110004078819
• NII Article ID: 10017307074
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 7814997
• NDL BIB ID: 7815114
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7814997
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7815114
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles