C-11-2 Pドープ4層バッファを用いたSi/SiGe系共鳴トンネルダイオードの作製(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)

• 前川 裕隆

  東京農工大学大学院工学教育部

• 佐野 嘉洋

  東京農工大学大学院工学教育部

• 須田 良幸

  東京農工大学大学院工学教育部

書誌事項

タイトル別名

• C-11-2 Fabrication of Si/SiGe material systems Resonance Tunneling Diode which applied four layer structure buffer doped phosphorus

収録刊行物

• 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集

  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2005 (2), 76-, 2005-09-07

  一般社団法人電子情報通信学会

詳細情報

• CRID: 1572543026850056704
• NII論文ID: 110004744763
• NII書誌ID: AN10489017
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles