還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfO2膜の初期絶縁破壊

• 水林 亘

• 小川 有人

• 生田目 俊秀

書誌事項

タイトル別名

• カンゲン フンイキ カ デ ノ ゲート デンキョク ケイセイ プロセス ニ ヨル HfO2 マク ノ ショキ ゼツエン ハカイ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (108), 107-111, 2006-06

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• Hfシリサイド
• Initial Breakdown
• Hf Silicide
• Reduction

詳細情報

• CRID: 1520853834420826112
• NII論文ID: 110004757011
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 7976422
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/7976422
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7976422
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles