5-11 CCDイメージセンサにおける水平駆動電圧低減の検討

• 山田 徹

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 川上 幸也

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 中野 隆

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 武藤 信彦

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 寺西 信一

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

書誌事項

タイトル別名

• A Study on Horizontal Driving Voltage Reduction in CCD Image Sensor

抄録

To realize low driving voltage in H-CCD, optimum conditions of barrier regions, such as edge positions of boron implanted areas and doses of boron implantation, are researched by using potential simulations. Simulated results indicate that implanting boron ions not only under second electrode but also under electrode gaps helps suppress potential dips under the gaps and strengthen transfer fields. Under this condition, H-CCD can be driven by the driving voltage under 2V.

収録刊行物

• テレビジョン学会年次大会講演予稿集

  テレビジョン学会年次大会講演予稿集 31 (0), 91-92, 1995

  一般社団法人 映像情報メディア学会

詳細情報

• CRID: 1390001204449176576
• NII論文ID: 110004774334
• DOI: 10.11485/tvac.31.0_91
• ISSN: 24330930
• ISSN: 09191879
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可