XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価

• 小野島 紀夫

• 東脇 正高

• 須田 淳

Bibliographic Information

Other Title

• XPS オヨビ C V ソクテイ ニ ヨル Cat CVD SiN ホゴ マク オ ユウスル AlGaN GaN HFET ノ ヒョウメン バリアハイト ヒョウカ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (269), 35-38, 2006-10

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ
• SiNパッシベーション
• 触媒化学気相堆積法
• 表面バリアハイト
• X線光電子分光
• 容量-電圧特性
• AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor
• SiN passivation
• catalytic chemical vapor deposition
• surface barrier height
• x-ray photoelectron spectroscopy
• capacitance-voltage

Details

• CRID: 1520009408780971008
• NII Article ID: 40015143360
• NII Article ID: 110005519484
• NII Article ID: 110004851329
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 8539171
• NDL BIB ID: 8539776
• NDL BIB ID: 8539778
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8539171
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8539776
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8539778
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles