806 パッチ型LPCVD装置を用いたシリコンウエハ薄膜形成に関する影響因子解析(G06-2 熱物性・加工,G06 熱工学)

• 木谷 拓司

  北大院

• 菊田 和重

  北大工

• 近久 武美

  北大工

• 菱沼 孝夫

  E&E研究所

• 盛満 和広

  日立国際電気

書誌事項

タイトル別名

• 806 Analysis of influencing factors for film formation on Si wafers on batch type LPCVD

抄録

The paper investigates major parameters controlling the film deposition rate and the step coverage in batch type LPCVD devices. Based on the basic equations on the film deposition rate and by the selection of major parameters in the equations, p/u_0 parameter was estimated as the controlling parameter for both film deposition rate and step coverage at constant temperature condition. The result of the experiment agreed to the prediction in first order accuracy. The result indicates that the film deposition rate increases as the increase of the p/u_0 parameter, but it deteriorates step coverage. This implies the improvement of both deposition rate and step coverage is not accomplished by controlling pressure and flow.

収録刊行物

• 年次大会講演論文集

  年次大会講演論文集 2005.3 (0), 11-12, 2005

  一般社団法人 日本機械学会

キーワード

• CVD
• Silicon Wafer
• Film formation
• Step Coverage
• Dimensionless Analysis

詳細情報

• CRID: 1390001206061372928
• NII論文ID: 110006190718
• DOI: 10.1299/jsmemecjo.2005.3.0_11
• ISSN: 24331325
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/jsmemecjo/2005.3/0/2005.3_11/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可