抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討

• 佐藤 嘉洋

• 木下 健太郎

• 能代 英之

書誌事項

タイトル別名

• テイコウ ヘンカ メモリ ノ ネツ ハンノウ モデル オ モチイタ リセット ドウサ ノ ケントウ
• Reset switching mechanism of ReRAM using thermal reaction model
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (593), 7-10, 2007-03-15

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• ReRAM
• 抵抗変化メモリ
• NiO
• TiO2
• リセット
• 熱反応モデル
• フィラメント
• resistive memory
• RESET
• thermal chemical reaction model
• filament

詳細情報

• CRID: 1520290883688188544
• NII論文ID: 110006248475
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 8706708
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8706708
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles