High-performance and reliable InP/InGaAs HBTs operating at high current density

• Shoji Yamahata

• Norihide Kashio

• Kenji Kurishima

書誌事項

タイトル別名

• High performance and reliable InP InGaAs HBTs operating at high current density
• Silicon devices and materials: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)
• Silicon devices and materials ダイ 15カイ センタン ハンドウタイ デバイス ノ キソ ト オウヨウ ニ カンスル アジア タイヘイヨウ ワークショップ AWAD 2007

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107 (111), 89-92, 2007-06

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• HBT
• InP/InGaAs
• high-performance
• reliability
• passivation ledge structure
• tungsten-metal

詳細情報

• CRID: 1520009408798616960
• NII論文ID: 110006343243
• NII論文ID: 110006343787
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 8803489
• NDL書誌ID: 8804980
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/8803489
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8803489
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/8804980
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8804980
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles