Amorphous Hydrogenated Silicon Film Deposited by Reactive Electron Cyclotron Resonance Plasma(Physics, Process, Instruments & Measurements)

DOI HANDLE オープンアクセス

この論文をさがす

収録刊行物

  • Transactions of JWRI

    Transactions of JWRI 21 (1), 23-28, 1992-06

    大阪大学溶接工学研究所

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390575727755700352
  • NII論文ID
    110006486971
  • NII書誌ID
    AA00867058
  • DOI
    10.18910/5795
  • HANDLE
    11094/5795
  • ISSN
    03874508
  • 本文言語コード
    en
  • データソース種別
    • JaLC
    • IRDB
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ