抄録
ラザフォード後方散乱分光法(RBS)を用いて,エピタキシャル成長したFe_3Si/Ge(111)の軸配向性を評価した.軸配向性は堆積温度に強く依存し,200℃以上で劣化することが分かった.そこで,本研究では堆積温度200℃における軸配向性の劣化を明らかにするために,RBS,電子線回折(ED)およびイオンチャネリング・ディップ測定を用いて軸配向性を検討した.その結果,堆積温度200℃における軸配向性の劣化は,Ge(111)面でのエピタキシャル成長時のFe_3Si<111>軸の傾斜成長が原因であることを明らかにした.
The axial orientation of epitaxially grown Fe_3Si on Ge(111) has been investigated by Rutherford Backscattering spectroscopy. It has been reported that the axial orientation is highly dependent on growth temperature (T_G), and that the degradation of axial orientation is caused above T_G=200℃. In this study, we have investigated the axial orientation of Fe_3Si/Ge(111) grown at 200℃ by electron diffraction and measurement of channel dip curves. We found that the degradation of axial orientation observed at T_G=200℃ was attributed mainly to the tilt of Fe_3Si<111> axis.
