量子井戸レーザにおけるバンドオフセットのキャリヤ再結合寿命に与える影響(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)  [in Japanese] Influence of Band Offset on Carrier Lifetime in Quantum Well Lasers  [in Japanese]

GaAsとInP基板上に形成した各種の光・キャリヤ分離閉じ込め型量子井戸レーザのキャリヤ再結合寿命を矩形電流パルスに対するレーザ発振遅延時間より測定した。光導波路層/バリヤ層と量子井戸の間のバンドオフセットエネルギーが小さいレーザでは、しきい値以下で電子のオーバフローを起こし、キャリヤ再結合寿命が小さくなることが系統的な測定により判明した。この理由は、オーバフローを起こそうとする電子と量子井戸に閉じ込められている正孔の間に働くクーロン力により、量子井戸近傍の光導波路層/バリヤ層に電子を閉じ込める井戸が形成され、レーザ遷移に関係しない再結合が増加するものと考えられる。

Carrier recombination lifetime of various kinds of separate-confinement quantum well lasers formed on GaAs and InP substrates has been systematically measured by lasing delay time. It decreases by overflow of electrons below threshold in lasers with small band offset energy between the quantum well and the waveguide/barrier layers. Decrease of carrier recombination lifetime might be due to the increase of non-lasing recombination of electrons injected into the electron-confining-well formed by Coulomb attractive force between overflowing electrons and confined holes in the quantum well.