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Abstract
将来のフオトニックネットワークにおいて、全光で動作する高速な光メモリー、および光バッフアの実現が切望されている。筆者らはこれまで多モード干渉(MMI)を用いた双安定レーザー(BLD)によって全光フリップ・フロップを作製し、その動作と、光パケットスイッチングへの適用性を検証してきた。本報告においては、MMI-BLD全光フリップ・フロップの入射光偏波無依存動作を目標とし、レーザーの活性層であるInGaAsP多重量子井戸(MQW)に伸張歪を導入することにより、偏波無依存フリップ・フロップ動作の原理検証実験を行ったので報告する。
Memory devices with high speed all-optical operation have been required in the future optical communication networks. We have proposed and demonstrated an all-optical flip-flop using multimode interference (MMI) bistable laser diode (BLD). Also we have demonstrated its optical packet switching ability with a semiconductor optical amplifier (SOA) Mach-Zender interferometer (MZI) switch as an example of application. In this paper, we focused on polarization insensitive operation of the flip-flop. By introducing tensile strained multiple quantum wells (MQWs) for the gain medium of the laser, static flip-flop operation with both TE- and TM-mode light injection was experimentally demonstrated.
Journal
- Technical report of IEICE. OPE [List of Volumes]
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Technical report of IEICE. OPE 107(465), 163-167, 2008-01-21 [Table of Contents]
The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers