低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価

• 曽根川 富博

• 上原 和浩

• 前濱 剛廣

書誌事項

タイトル別名

• テイユウデンリツ Low k ネツ サンカ ヨウキョク カセイ Si ノ サクセイ ト ユウデン トクセイ ノ ヒョウカ
• Preparation and characterization of thermal oxidization anodized Si with a low-k dielectric constant
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108 (1), 41-46, 2008-04

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 陽極化成シリコン
• 多孔質SiO2
• Low-k絶縁材料
• 多孔度
• Anodized Silicon
• Oxidized Porous Silicon
• Low-k material
• porosity

詳細情報

• CRID: 1520009407847372672
• NII論文ID: 110006793645
• NII論文ID: 110006792713
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 9489182
• NDL書誌ID: 9489485
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9489182
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9489485
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles