Read/Search this Article
Abstract
我々はSi(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜をヘテロエピタキシャル成長させる新しい手法を提案している。ここで形成されるInSbはSi基板に対して面内で30゜回転し、結晶品質及び電子移動度が改善できることが分かっている。しかし、そのInSb単分子層がどのように上部InSb薄膜層に影響を与えているについては、未だ明らかではない。今回、InSb単分子層中のIn層及びSb層の影響を明らかにするために、Si(111)基板上の様々な再構成構造(InSb-2x2,In-2x2,Sb-√3x√3,Sb-2x1)上へInSb薄膜を蒸着し、これをRHEED,XRD,ホール効果測定によって評価した。その結果、In層とSb層の両方(つまり、InSb単分子層)が良質なInSb薄膜形成のために必要であることが明らかとなった。
A new method for an InSb heteroepitaxial growth on a Si(111) substrate was introduced in our previous work, in which an InSb film was formed via InSb bi-layer. This InSb film was rotated by 30゜ with respect to the Si substrate. It is found that the InSb film was improved in crystal quality and hall mobility by this rotation. However, effects of the InSb bi-layer for the formation of the rotated InSb film. In the present work, to study the effects of In and Sb individual layers in the Insb bi-layer on the InSb film quality, InSb was deposited onto InSb-2x2 bi-layer, In-2x2 mono-layer, Sb-T√3x√3 mono-layer, and Sb-2x1 mono-layer on the Si substrate. It is found that both the In layer and the Sb layer (in other words, InSb bi-layer) were essential to form a fine InSb film.
Journal
- IEICE technical report. Electron devices [List of Volumes]
-
IEICE technical report. Electron devices 108(87), 85-89, 2008-06-06 [Table of Contents]
The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
