SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)  [in Japanese] High-speed and low-resistance fast recovery diodes using SiGe anode layers  [in Japanese]

Abstract

電力変換回路用還流ダイオードとして使われているSi-pinダイオードのp層とi層のライフタイムを個別に制御し、順バイアス時の蓄積電荷を抑制することで、pinダイオードの順方向電圧降下を劣化させずに効果的に逆方向回復時間を抑制できることをシミュレーションと実験により確認した。実験では各層のライフタイムを独立制御するためにp型層にSiGe用い、i層では金拡散を行った。ダイオード試作の結果、リカバリ時間50ns、50A/cm^2での順方向電圧降下として1.1Vを得ることが出来た。

Journal

IEICE technical report. Component parts and materials   [List of Volumes]

IEICE technical report. Component parts and materials 108(192), 61-64, 2008-08-21  [Table of Contents]

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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Codes

  • NII Article ID (NAID) :
    110007006017
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID) :
    AN10012932
  • Text Lang :
    JPN
  • Article Type :
    ART
  • ISSN :
    09135685
  • NDL Article ID :
    9640322
  • NDL Source Classification :
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No. :
    Z16-940
  • Databases :
    CJP  NDL  NII-ELS 

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