SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般) High-speed and low-resistance fast recovery diodes using SiGe anode layers

抄録

電力変換回路用還流ダイオードとして使われているSi-pinダイオードのp層とi層のライフタイムを個別に制御し、順バイアス時の蓄積電荷を抑制することで、pinダイオードの順方向電圧降下を劣化させずに効果的に逆方向回復時間を抑制できることをシミュレーションと実験により確認した。実験では各層のライフタイムを独立制御するためにp型層にSiGe用い、i層では金拡散を行った。ダイオード試作の結果、リカバリ時間50ns、50A/cm^2での順方向電圧降下として1.1Vを得ることが出来た。

収録刊行物

電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス   [巻号一覧]

電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 108(193), 61-64, 2008-08-21  [この号の目次]

社団法人電子情報通信学会

参考文献:  4件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID) :
    110007006493
  • NII書誌ID(NCID) :
    AN10442691
  • 本文言語コード :
    JPN
  • 資料種別 :
    ART
  • ISSN :
    09135685
  • NDL 記事登録ID :
    9640679
  • NDL 雑誌分類 :
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号 :
    Z16-940
  • 収録DB :
    CJP書誌  NDL  NII-ELS