抄録
これまで格子整合性が低い異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を余儀なくされ,十分な結晶品質が得られなかった非極性面III族窒化物半導体であるが,格子整合基板であるZnOを用いることでその結晶性を大幅に向上させることに成功した.ZnOが化学的,熱的に不安定性であることから,成長中にIII族窒化物とZnOが反応してしまうという問題が指摘されていたが,我々が開発した室温エピタキシャル成長技術を用いることで高品質な非極性面ヘテロ界面が実現し,この問題を解決できることが分かった.
We have succeeded in epitaxial growth of high-quality nonpolar and semipolar (Al,In,Ga) N films on ZnO substrates using room temperature growth technique by pulsed excitation deposition (PXD). ZnO is a chemically vulnerable material at elevated temperatures although it gives small lattice mismatches to III-nitrides and shares the same crystal symmetry. Therefore, it is difficult to grow high-quality films on ZnO substrates by conventional MOCVD or MBE techniques. On the other hand, the use of PXD allows us to grow nitrides at low temperatures thanks to high kinetic energy of film precursors.
