SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))  [in Japanese] Intersubband absorption in GaN/AlN-based waveguide with SiN cladding layer  [in Japanese]

GaN/AlNサブバンド間遷移スイッチへの応用を目的として、AlNを下部クラッド層、GaNをコア層とし中央に量子井戸層を設け、SiNを上部クラッドとする導波路構造でサブバンド間吸収を実現した。同時に、SiNをクラッドとしたスポットサイズ変換を実証した。この結果は、GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチの動作エネルギー低減可能性、および、集積光デバイスへの適用可能性を示唆するものでもある。

Intersubband absorption was achieved for a waveguide with SiN as a upper cladding layer. With the purpose of applying to ultrafast optical switches, the waveguide consisted of an AlN lower cladding layer and a GaN core layer with quantum wells inside as well as the SiN upper cladding layer. In addition, spot-size conversion was verified with the SiN cladding. These results lead to the expectation of decrease in the switching energy and to the possibility of realizing integrated photonic devices.