異モード間双安定アクティブMMIを用いた光RAM素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))  [in Japanese] Optical Random Access Memory (RAM) Based on Bi-stability between Different Lateral Modes Using Novel Active Multi-Mode-Interferometer (MMI)  [in Japanese]

アクティブMMI型双安定レーザーは、高い製作トレランスが期待できる一方で、素子サイズが比較的大きく(既報告では1mm程度)、集積型光ランダムアクセスメモリ(RAM)の基本構成要素としては課題があった。そこで我々は、小型でも安定動作が期待される新しいアクティブMMI型双安定レーザーを提案し、その基本動作を実証したので報告する。特に今回、比較的な小さいサイズ(550μm)にて初めて双安定動作を確認することができ、低動作電流(100mA)、高ON/OFF比(15dB以上)を実現したので報告する。

We propose and demonstrate a novel principle of active MMI-based BLD for optical random access memory (RAM). Utilizing the cross-gain saturation between the fundamental and first-order modes, sufficient cross-gain saturation region can be achieved even in relatively short cavity. Implemented device showed relatively low operation current of 100mA (8mA hysteresis window), and high ON/OFF optical power-ratio of more than 15dB successfully (@L=550μm) with the length of approximately 500μm.