C-10-4 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの最適設計と耐圧に関する理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
書誌事項
- タイトル別名
-
- C-10-4 Simulation of Optimum Design and Breakdown Characteristics in Graded Field Plate AlGaN/GaN HEMTs
この論文をさがす
収録刊行物
-
- 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
-
電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2008 (2), 49-, 2008-09-02
一般社団法人電子情報通信学会
- Tweet
詳細情報
-
- CRID
- 1570291227615385600
-
- NII論文ID
- 110007110183
-
- NII書誌ID
- AN10489017
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- CiNii Articles