C-10-4 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの最適設計と耐圧に関する理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)

書誌事項

タイトル別名
  • C-10-4 Simulation of Optimum Design and Breakdown Characteristics in Graded Field Plate AlGaN/GaN HEMTs

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詳細情報

  • CRID
    1570291227615385600
  • NII論文ID
    110007110183
  • NII書誌ID
    AN10489017
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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