High-k/SiO2界面に形成されるダイポールの起源

• 喜多 浩之

• 鳥海 明

書誌事項

タイトル別名

• High k SiO2 カイメン ニ ケイセイサレル ダイポール ノ キゲン
• Intrinsic origin of electric dipoles formed at high-k/SiO2 interface
• シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• シリコン ザイリョウ デバイス IEDM トクシュウ センタン CMOS デバイス プロセス ギジュツ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108 (407), 5-8, 2009-01-26

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• High-k絶縁膜
• SiO2
• 界面
• ダイポール
• 酸素
• high-k dielectrics
• interface
• dipole
• oxygen

詳細情報

• CRID: 1520009407450802048
• NII論文ID: 110007123342
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 9795213
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/9795213
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9795213
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles