有機ゲートを用いたSiGe/Si/Si FETとIGBTの試作と評価(TFT(有機,酸化物),一般)  [in Japanese] Organic gate FETs and IGBTs with SiGe emitter  [in Japanese]

Abstract

スイッチング式電力制御回路に用いられている、pinダイオードのp層にSiGeを用いることで順方向電圧を劣化させずに逆方向回復時間を低減することを実証した。この結果により、pinダイオードと同じ電荷蓄積機構を持つInsulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)にSiGeを用いることで高速化を図ろうと考えた。SiGeは、高温酸化によりGe濃度が変化するため、高温処理を必要としない有機材料であるポリメタクリル酸メチル(PMMA)をゲートの絶縁膜としたIGBTの作製プロセスを開発した。

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IEICE technical report. Electron devices   [List of Volumes]

IEICE technical report. Electron devices 109(16), 45-48, 2009-04-16  [Table of Contents]

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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Codes

  • NII Article ID (NAID) :
    110007227387
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID) :
    AN10012954
  • Text Lang :
    JPN
  • Article Type :
    ART
  • ISSN :
    09135685
  • NDL Article ID :
    10220538
  • NDL Source Classification :
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No. :
    Z16-940
  • Databases :
    CJP  NDL  NII-ELS 

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