有機ゲートを用いたSiGe/Si/Si FETとIGBTの試作と評価(TFT(有機,酸化物),一般) Organic gate FETs and IGBTs with SiGe emitter

抄録

スイッチング式電力制御回路に用いられている、pinダイオードのp層にSiGeを用いることで順方向電圧を劣化させずに逆方向回復時間を低減することを実証した。この結果により、pinダイオードと同じ電荷蓄積機構を持つInsulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)にSiGeを用いることで高速化を図ろうと考えた。SiGeは、高温酸化によりGe濃度が変化するため、高温処理を必要としない有機材料であるポリメタクリル酸メチル(PMMA)をゲートの絶縁膜としたIGBTの作製プロセスを開発した。

収録刊行物

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   [巻号一覧]

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 109(16), 45-48, 2009-04-16  [この号の目次]

一般社団法人電子情報通信学会

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各種コード

  • NII論文ID(NAID) :
    110007227387
  • NII書誌ID(NCID) :
    AN10012954
  • 本文言語コード :
    JPN
  • 資料種別 :
    ART
  • ISSN :
    09135685
  • NDL 記事登録ID :
    10220538
  • NDL 雑誌分類 :
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号 :
    Z16-940
  • 収録DB :
    CJP書誌  NDL  NII-ELS