抄録
プラズマジェットを加工幅程度まで微小化することで,マスクを必要としないドライエッチングが可能になってきた.約100μm径のArプラズマジェットの下流域でSF_6から解離させた高密度のフッ素原子をSiやSiO_2等の基材上に局所的に照射することにより,半導体デバイスエッチングに比して2〜3桁も高い加工速度が達成されている.数100μm幅の流路加工を行うバイオMEMSの分野や基材上を高速移動しながら処理を行う走査型プロセス等での応用が期待される.
プラズマジェットを加工幅程度まで微小化することで,マスクを必要としないドライエッチングが可能になってきた.約100μm径のArプラズマジェットの下流域でSF_6から解離させた高密度のフッ素原子をSiやSiO_2等の基材上に局所的に照射することにより,半導体デバイスエッチングに比して2〜3桁も高い加工速度が達成されている.数100μm幅の流路加工を行うバイオMEMSの分野や基材上を高速移動しながら処理を行う走査型プロセス等での応用が期待される.