25aD02 有機金属気相選択成長法によるGaInAs/GaAsナノワイヤの結晶成長と光学的評価(ナノ粒子・ナノ構造(1),第34回結晶成長国内会議)

• 原 真二郎

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学大学院量子集積エレクトロンクス研究センター

• 本久 順一

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学大学院量子集積エレクトロンクス研究センター

• 竹田 潤一郎

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学大学院量子集積エレクトロンクス研究センター

• 登坂 仁一郎

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学大学院量子集積エレクトロンクス研究センター

• 福井 孝志

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学大学院量子集積エレクトロンクス研究センター

書誌事項

タイトル別名

• 25aD02 Growth and Optical Characterization of GaInAs/GaAs Nano-Wires Grown by SA-MOVPE(NCCG-34)

抄録

We demonstrated formation of hexagonal nano-wires with GaInAs/GaAs double hetero-structures using SA-MOVPE growth on SiO_2 masked (111)B GaAs substrates with periodic round openings. Using μ-PL measurements, PL emission from single GaInAs/GaAs hexagonal nano-wire was successfully identified. These results indicated that GaInAs/GaAs hexagonal nano-wires had good crystal qualities.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 31 (3), 167-, 2004

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390001205897967360
• NII論文ID: 110007327509
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.31.3_167
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可