p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性

• 杉山 貴之

• 飯田 大輔

• 岩谷 素顕

書誌事項

タイトル別名

• pガタ GaN ゲート オ ユウスル ノーマリーオフガタ GaNケイ HFET ノ イキチ デンアツ セイギョ オヨビ オンド トクセイ
• Threshold voltage control and temperature dependence of normally off mode AlGaN/GaN HFET with p-type GaN gate
• 電子デバイス
• デンシ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (157), 33-37, 2009-07

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• AlGaN
• GaN
• Junction HFET
• p-GaNゲート
• ノーマリーオフ
• 温度特性
• 閾値電圧
• p-type GaN gate
• normally-off
• temperature dependence
• Threshold voltage

詳細情報

• CRID: 1520009408026614400
• NII論文ID: 110007358762
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 10308015
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10308015
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles