Formation and application of InP porous structures on p-n substrates

• Taketomo Sato

• Naoki Yoshizawa

• Hiroyuki Okazaki

書誌事項

タイトル別名

• Formation and application of InP porous structures on p n substrates
• Silicon devices and materials
• Silicon devices and materials

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (98), 117-120, 2009-06

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• Electrochemical Process
• Porous Structure
• Indium Phosphide
• p-n junction

詳細情報

• CRID: 1520572359418358400
• NII論文ID: 110007360162
• NII論文ID: 110007338361
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 10275344
• NDL書誌ID: 10274903
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10275344
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10274903
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles