結晶性FeCoB裏打ち軟磁性層によるグラニュラー垂直磁気記録媒体の特性改善(ヘッド・媒体および一般)  [in Japanese] Improvement of granular perpendicular magnetic recording media with Si/NiFe/FeCoB crystalline SUL  [in Japanese]

垂直磁気記録媒体の記録層と裏打ち軟磁性層の間に挿入される中間層Ruの薄膜化を達成するために結晶性裏打ち軟磁性層を適用することを検討した。結晶性裏打ち軟磁性層としてFeCoB層を用いて、bcc-FeCoBの(110)配向度を向上させることにより、中間層Ruのc軸配向度およびCoPtCr-SiO_2記録層のc-軸配向度の向上が可能となる。そこで、FeCoB層の(110)配向度を制御するために、Ru層およびSi/NiFe膜の2つのシード層を用いたFeCoB裏打ち軟磁性層を作製し比較した。Ru膜をシード層としたRu/FeCoB膜は高異方性磁界を持ち、Si/NiFe膜をシード層としたSi/NiFe/FeCoB膜はbcc-FeCoB(110)優先配向を促進するものである。Si/NiFe膜をシード層として用いると、Ruシード層の場合よりもFeCo(110)配向を促進することが確認された。また、FeCoB層の(110)配向度を向上させたRu/FeCoB膜やSi/NiFe/FeCoB膜を結晶性裏打ち軟磁性層として利用することにより、中間層Ruの膜厚を30nmから1nmまで低減させた場合に、記録層のCoPtCr(002)ピークの積分強度が維持されることが確認された。また、中間層Ruの膜厚を5nmまで薄くしても記録層の保磁力と角型比が維持されることが確認された。

Application of crystalline soft magnetic underlayer (SUL) for reduction of the Ru intermediate layer (IML) between recording layer and SUL in perpendicular magnetic recording media has been performed. The use of FeCoB layer as crystalline SUL improves degree of FeCo(110) orientation, and that gives degree of (001) orientation of Ru IML and CoPtCr in CoPtCr-SiO_2 recording layer. Then, FeCoB crystalline SULs with seed layer of Ru or Si/NiFe are fabricated and compared to control degree of (110) orientation of FeCo in FeCoB layer. Ru/FeCoB SUL has high anisotropy field. Si/NiFe seed layer improves (110) preferential orientation of FeCo. Si/NiFe seed layer more improved (110) orientation of FeCo than that of Ru. It was confirmed that the use of Ru/FeCoB layer or Si/NiFe/FeCoB layer causes improvement of (001) orientation of Ru IML, which causes improvement of (001) orientation of CoPtCr. The intensity of (002) diffraction peak of CoPtCr is almost constant even though the thickness of Ru IML changes from 30nm to 1nm. Coercivity and squareness ratio of recording layer maintained the same value in spite of reducing the thickness of the Ru IML from 30nm to 5nm.