GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討(ナノ光技術・電子技術,<特集>次世代ナノテクノロジー論文)  [in Japanese] Investigation on Polarization Characteristics of GaInAsSb Covered InAs Quantum Dot for Application to Surface Emitting Devices  [in Japanese]

    • 松浦 哲也 MATSUURA Tetsuya
    • 東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, P & I Lab., Tokyo Institute of Technology
    • 宮本 智之 MIYAMOTO Tomoyuki
    • 東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, P & I Lab., Tokyo Institute of Technology
    • 小山 二三夫 KOYAMA Fumio
    • 東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, P & I Lab., Tokyo Institute of Technology

Abstract

光ファイバ通信で用いられる長波長帯発光素子の活性層として,自己形成InAs量子ドットの適用が期待されている.GaAs基板上では1.3μm帯を超える長波長化にはひずみの蓄積に伴う発光効率の劣化が課題となっているが,本研究で提案している微量のアンチモン(Sb)を添加したGaInAsSbカバー層を適用することにより,1.5μm帯の長波長帯発光とその発光効率の向上が可能である.一方でこのような量子ドットを面型光デバイスに応用するためには,面内方向の偏光特性を明らかにする必要があるが,これまでSb添加量子ドットの偏光特性は報告されていない.本論文では,Sb添加によるドット形状の変形が発光特性に及ぼす影響に着目し,カバー層へのSb添加及びIn添加によるフォトルミネセンスの偏光特性の測定と,その偏光度のドット構造依存性について評価を行い,面型デバイス応用への指針を与える.

Journal

The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C   [List of Volumes]

The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C J90-C(1), 69-75, 2007-01-01  [Table of Contents]

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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Codes

  • NII Article ID (NAID) :
    110007379859
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID) :
    AA11412446
  • Text Lang :
    JPN
  • Article Type :
    Journal Article
  • ISSN :
    13452827
  • NDL Article ID :
    8641773
  • NDL Source Classification :
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No. :
    Z16-607
  • Databases :
    CJP  CJPref  NDL  NII-ELS