抄録
近年LSIチップ-パッケージ(基板)間のフリップチップ接続に用いられるバンプとして,10ミクロン以下の微小サイズの例も報告されるようになっているが,このような微小なバンプでは,接続信頼性の確保が困難になりつつある.これは,主なバンプ接続プロセスが,「"高温"で"荷重"を加え,金属同士を"接触・変形"させる」という方法で行われているためであり,この種の接続の成否を決定づける電極間のアラインメント,個々のバンプの加圧制御・接続後の熱応力等々,メカニカル要因の制御は限界に達しつつある.このため接続プロセスの低温化と低荷重化が急務となっている.「常温に近い接続温度」,「機械的変形を与えない接続」の二つの条件を満足するフリップチップ接続法として,我々は無電解めっきにおける特異的な析出現象に着目し,これを応用した全く新しい接続法を開発した.無電解Ni-Bめっき浴中で,対向電極の寸法/配置,ダイボンド層の周辺の幾何学形状,及び析出現象を促進するめっき条件を適度にバランスさせることにより,接続部のみに選択的にNi-B膜を析出させることに成功した.今回,本手法のフリップチップ接続分野への適用可能性を検討した結果,電極間接続としての優れた特徴の一部が確認されたので報告する.
