微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン

• 後藤 正和

• 川中 繁

• 犬宮 誠司

書誌事項

タイトル別名

• ビサイ High k メタルゲートデバイス ニ オケル キャリア イドウド ト Tinv スケーリング ノ カンケイ オヨビ 22nm ノード ニ ムケタ デバイス セッケイ ガイドライン
• The study of mobility-Tinv trade-off in deeply scaled high-k/metal gate devices and scaling design guideline for 22nm-node generation
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (133), 53-56, 2009-07

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• MOSFETスケーリング
• Tinv
• キャリア移動度
• DIBL
• high-k絶縁膜
• メタルゲート
• MOSFET scaling
• Carrier mobility
• high-k dielectric
• Metal gate electrode

詳細情報

• CRID: 1520572357601509504
• NII論文ID: 110007387877
• NII論文ID: 110007387857
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 10307433
• NDL書誌ID: 10306777
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10307433
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10306777
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles